Invention Publication
- Patent Title: 半导电屏蔽料、其制备方法及其半导电屏蔽制品和电缆
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Application No.: CN202410121071.0Application Date: 2024-01-29
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Publication No.: CN118146585APublication Date: 2024-06-07
- Inventor: 杨威 , 陈维江 , 李圣驿 , 杨入云 , 乔健 , 陈赟 , 王琨 , 涂必冬 , 刘超群 , 董安有
- Applicant: 北京怀柔实验室 , 北京智慧能源研究院
- Applicant Address: 北京市怀柔区杨雁东一路8号;
- Assignee: 北京怀柔实验室,北京智慧能源研究院
- Current Assignee: 北京怀柔实验室,北京智慧能源研究院
- Current Assignee Address: 北京市怀柔区杨雁东一路8号;
- Agency: 北京智专天权知识产权代理有限公司
- Agent 王茹
- Main IPC: C08L23/08
- IPC: C08L23/08 ; C08L23/06 ; C08K3/04 ; C08K5/14 ; H01B9/02

Abstract:
一种半导电屏蔽料、制备方法及其半导电屏蔽制品和电缆。所述半导电屏蔽料包括如下重量份的组分:55~65份的复配树脂、25~35份的导电填料和1.5~2份的交联剂;其中,所述复配树脂包括低密度聚乙烯(LDPE)树脂、乙烯‑乙酸乙烯酯(EVA)树脂和乙烯‑丙烯酸树脂,所述低密度聚乙烯树脂、所述乙烯‑乙酸乙烯酯树脂和所述乙烯‑丙烯酸树脂的质量比满足:1:(0.2~1.5):(1~4)。本申请的半导电屏蔽料的PTC系数较低,屏蔽料的PTC效应能够得到抑制,降低PTC效应对高压电缆使用的不利影响。
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