Invention Publication
- Patent Title: 基准电压产生电路以及半导体集成电路
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Application No.: CN202280089064.6Application Date: 2022-01-19
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Publication No.: CN118575409APublication Date: 2024-08-30
- Inventor: 饭田裕太 , 小宫健吾
- Applicant: 株式会社索思未来
- Applicant Address: 日本
- Assignee: 株式会社索思未来
- Current Assignee: 株式会社索思未来
- Current Assignee Address: 日本
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 王海奇
- International Application: PCT/JP2022/001754 2022.01.19
- International Announcement: WO2023/139678 JA 2023.07.27
- Date entered country: 2024-07-16
- Main IPC: H03F3/45
- IPC: H03F3/45 ; G05F3/30 ; H03K5/08

Abstract:
本发明涉及基准电压产生电路以及半导体集成电路,基准电压产生电路具有:电阻电路(117),具有可变电阻,该可变电阻电连接在第一节点与第二节点之间以及上述第一节点与第三节点之间,电阻值根据第一控制信号而变化;差动放大电路(116),在上述第二节点电连接有差动输入对中的一个,在上述第三节点电连接有上述差动输入对中的另一个,在输出节点生成基准电压;电流源电路(113~115),电连接在上述第二节点与第四节点之间以及上述第三节点与上述第四节点之间;以及调整电路(301),与上述输出节点电连接,通过对至少两个目标电压和上述基准电压进行比较,从而生成上述第一控制信号。
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