Invention Publication
- Patent Title: 半导电屏蔽材料及其制备方法和应用
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Application No.: CN202411580559.6Application Date: 2024-11-07
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Publication No.: CN119081279APublication Date: 2024-12-06
- Inventor: 杨威 , 陈维江 , 杨入云 , 乔健 , 涂必冬 , 陈赟 , 李圣驿 , 胡佳娜
- Applicant: 北京怀柔实验室 , 北京智慧能源研究院
- Applicant Address: 北京市怀柔区杨雁东一路8号;
- Assignee: 北京怀柔实验室,北京智慧能源研究院
- Current Assignee: 北京怀柔实验室
- Current Assignee Address: 101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号
- Agency: 华进联合专利商标代理有限公司
- Agent 周孝湖
- Main IPC: C08L23/08
- IPC: C08L23/08 ; C08L91/06 ; C08K3/04 ; C08K5/20 ; C08K5/14
Abstract:
本申请提供了一种半导电屏蔽材料及其制备方法和应用，该半导电屏蔽材料的制备原料包括如下质量份数的组分：59份～63份的基体树脂、34份～38份的导电炭黑，1份~1.5份的交联剂，0.5份~2份的分散剂，0.5份~3份的润滑剂，0.5份~1.5份的抗氧剂；所述导电炭黑的吸碘值>65g/Kg，吸油值≥140mL/100g，压缩吸油值>90mL/100g，325目筛余物≤10ppm，灰分
Public/Granted literature
- CN119081279B 半导电屏蔽材料及其制备方法和应用 Public/Granted day:2025-04-01
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