本发明公开了一种聚乙烯吡咯烷酮‑高介电常数复合膜制备方法及高介电光伏封装胶膜。所述聚乙烯吡咯烷酮‑高介电常数复合膜，制备过程包括：将高介电常数物质原料表面羟基化处理，得到表面包覆羟基的高介电常数物质a；对高介电常数物质a进行表面改性处理：加入乙烯基硅烷偶联剂，在高介电常数物质a表面引入双键，加入乙烯基吡咯烷酮单体发生聚合，使其表面包覆聚乙烯基吡咯烷酮聚合物，得到带有活性的高介电常数物质b；将高介电常数物质b与EVA混合溶于DMF/二氯甲烷溶剂中，磁力搅拌至均匀溶液，然后通过静电纺丝工艺制膜。所述高介电光伏封装胶膜，将所述聚乙烯吡咯烷酮‑高介电常数复合膜通过热压贴合于两层EVA胶膜中间，得到三层结构的高介电常数EVA胶膜。