本发明涉及一种掩膜版结构和光刻方法。掩膜版结构包括：功能区，用于通过光刻在晶片的中间区域形成图形化半导体结构；第一切割道区，环绕功能区设置，第一切割道区至少包括第一图案，第一图案用于在光刻形成图形化半导体结构时对目标光刻位置进行定位；第二切割道区，位于第一切割道区的第一外侧，第二切割道区包括第二图案，第二图案用于通过光刻在晶片的第一边缘形成第一定位标记。本实施例提供的掩膜版结构能够同时应用于图形化半导体结构的光刻和晶片边缘处第一定位标记的光刻，减少对于第一定位标记的掩膜版数量，降低成本，且减少数据处理流程和工艺次数，缩短时间。