Invention Grant
- Patent Title: 背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
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Application No.: CN202411984347.4Application Date: 2024-12-31
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Publication No.: CN119403257BPublication Date: 2025-04-25
- Inventor: 陈维邦
- Applicant: 合肥晶合集成电路股份有限公司
- Applicant Address: 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- Assignee: 合肥晶合集成电路股份有限公司
- Current Assignee: 合肥晶合集成电路股份有限公司
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- Agency: 华进联合专利商标代理有限公司
- Agent 杨明莉
- Main IPC: H10F39/18
- IPC: H10F39/18

Abstract:
本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器,涉及集成电路技术领域,包括:提供包括第一顶面的衬底,第一顶面包括沿背离第一顶面的第一方向依次层叠的隔离层、初始半导体层;于初始半导体层顶面形成沿第二方向间隔排布的多个隔离叠层,于相邻隔离叠层之间依次形成层叠的包含不同五价元素的第一半导体层、第二半导体层;将第一半导体层的第一五价元素扩散至初始半导体层,得到第一目标半导体层;将第二半导体层的第二五价元素扩散至第一半导体层,得到第二目标半导体层;形成覆盖第二半导体层顶面及隔离叠层的裸露外表面的介质层,增加了感光区域的电子浓度,提高了BSI图像传感器的感光性能。
Public/Granted literature
- CN119403257A 背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器 Public/Granted day:2025-02-07
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