Invention Publication
- Patent Title: 一种MoS2/Fe2O3@Fe-MOF修饰碳电极的制备方法和应用
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Application No.: CN202510008048.5Application Date: 2025-01-03
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Publication No.: CN119409314APublication Date: 2025-02-11
- Inventor: 赵文岩 , 段志超 , 马业宏 , 袁浩东
- Applicant: 内蒙古大学
- Applicant Address: 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西路235号
- Assignee: 内蒙古大学
- Current Assignee: 内蒙古大学
- Current Assignee Address: 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西路235号
- Agency: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司
- Agent 王晓丽
- Main IPC: C02F3/00
- IPC: C02F3/00 ; C02F1/461 ; C02F1/72

Abstract:
本发明提供一种MoS2/Fe2O3@Fe‑MOF修饰碳电极的制备方法和应用,MoS2/Fe2O3@Fe‑MOF修饰碳电极的制备方法,包括如下步骤:Fe2O3@Fe‑MOF粉末的制备、异丙醇IPA‑MoS2纳米片分散液的制备、MoS2/Fe2O3@Fe‑MOF复合材料分散液的制备和MoS2/Fe2O3@Fe‑MOF修饰碳电极的制备。本发明解决现有阴极对H₂O₂的生成和活化催化性能较低、降解污染物性能不理想、电极材料的制备复杂、成本较高等问题。所制备的复合电极应用于BEF体系,功率密度高,具有较好的电子传输性能,对抗生素的降解性能优良,可多次循环使用,在电芬顿领域具有非常广阔的应用前景。
Public/Granted literature
- CN119409314B 一种MoS2/Fe2O3@Fe-MOF修饰碳电极的制备方法和应用 Public/Granted day:2025-04-25
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