Invention Publication
- Patent Title: 一种低温等离子体射流装置
-
Application No.: CN202411788131.0Application Date: 2024-12-06
-
Publication No.: CN119653569APublication Date: 2025-03-18
- Inventor: 卢新培 , 雷乐康 , 刘嘉林 , 聂兰兰
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 华中科技大学专利中心
- Agent 王颖翀
- Main IPC: H05H1/24
- IPC: H05H1/24 ; A61M37/00 ; A61N1/44

Abstract:
本发明公开了一种低温等离子体射流装置,包括:等离子体发生器、等离子电源以及高压导线;所述等离子发生器中包括多组高压电极以及多个等离子体发生腔,所述高压电极的一端内置于所述等离子发生腔中,所述等离子体发生腔用于接收工作气体并在所述等离子电源通电情况下所述高压电极产生等离子体,其中每组高压电极产生相互独立的等离子体束,所述等离子体从所述等离子体发生器中的等离子体出口流出。通过本发明公开的低温等离子体射流装置,通过独立的等离子发生腔产生独立的等离子体束,能够实现等离子束的物理隔离,且等离子体可与皮肤直接接触而不需要在被处理皮肤上外接额外接地体。
Information query
IPC分类: