Invention Publication
CN119908182A 光检测装置和电子设备
审中-公开
- Patent Title: 光检测装置和电子设备
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Application No.: CN202380063872.XApplication Date: 2023-09-04
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Publication No.: CN119908182APublication Date: 2025-04-29
- Inventor: 松本晃
- Applicant: 索尼半导体解决方案公司
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 索尼半导体解决方案公司
- Current Assignee: 索尼半导体解决方案公司
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- Agent 梁兴龙; 姚鹏
- Priority: 2022-171365 20221026 JP
- International Application: PCT/JP2023/032280 2023.09.04
- International Announcement: WO2024/090039 JA 2024.05.02
- Date entered country: 2025-03-05
- Main IPC: H10F39/18
- IPC: H10F39/18 ; H04N25/70

Abstract:
本发明提供了一种光检测装置,其可以减少由像素尺寸减小引起的传输栅极和电荷保持部的配置困难的发生。具体地,本发明的光检测装置包括:半导体基板;沟槽部,其将所述半导体基板划分成多个元件区域;光电转换部,其形成在每个所述元件区域内,并根据光接收量产生和累积电荷;电荷保持部,其形成在每个所述元件区域内,并保持在所述光电转换部中产生的电荷;和传输晶体管,其将在所述光电转换部中累积的电荷传输到所述电荷保持部。此外,所述电荷保持部形成为从所述元件区域的第一面到达所述元件区域内的预定深度,该第一面是与所述元件区域的光入射面相对的面。此外,所述传输晶体管具有栅电极,所述栅电极连续地覆盖所述元件区域的第一面之中的避开第一区域的该第一面的至少一部分以及第二面的至少一部分,该第一区域是形成有所述电荷保持部的区域,该第二面是所述元件区域的所述沟槽部侧的面。
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