Invention Publication
- Patent Title: 一种基于半导体超材料的高稳态偏振调控器
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Application No.: CN202510003545.6Application Date: 2025-01-02
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Publication No.: CN119937066APublication Date: 2025-05-06
- Inventor: 闵力 , 许俊杰 , 马照然 , 王科元 , 魏勇 , 柯友刚 , 罗朝明
- Applicant: 湖南理工学院
- Applicant Address: 湖南省岳阳市湘北大道、金鄂东路
- Assignee: 湖南理工学院
- Current Assignee: 湖南理工学院
- Current Assignee Address: 湖南省岳阳市湘北大道、金鄂东路
- Main IPC: G02B1/00
- IPC: G02B1/00 ; G02B5/30 ; G02F1/00 ; G02F1/01

Abstract:
本发明公开了一种基于半导体超材料的高稳态偏振调控器,该偏振调控器是由长方体单元与介质连接物构成,用于实现电磁波多种偏振态之间的高效稳定转换,涵盖线偏振态到线偏振态、线偏振态到圆偏振态、圆偏振态到圆偏振态、圆偏振态到线性偏振态的偏振态转换。该偏振调控器所采用的调控激励为调控电磁波,调节调控电磁波的功率改变长方体单元的载流子浓度及其分布,实现上述偏振态之间的切换。本发明的偏振调控器结构简单、易于集成、性能稳定且高效,适用于光通信、偏振成像和精密测量等领域。
Information query
IPC分类:
G | 物理 |
G02 | 光学 |
G02B | 光学元件、系统或仪器 |
G02B1/00 | 按制造材料区分的光学元件;用于光学元件的光学涂层 |