Wafer level package and capacitor

Invention Grant

US10727295B2 Wafer level package and capacitor 有权

Patent Title: Wafer level package and capacitor
Application No.: US16176506

Application Date: 2018-10-31
Publication No.: US10727295B2

Publication Date: 2020-07-28
Inventor: Tatsuya Funaki , Noriyuki Inoue
Applicant: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Applicant Address: JP Nagaokakyo-Shi, Kyoto-Fu
Assignee: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
Current Assignee: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
Current Assignee Address: JP Nagaokakyo-Shi, Kyoto-Fu
Agency: Arent Fox LLP
Priority: com.zzzhc.datahub.patent.etl.us.BibliographicData$PriorityClaim@22eb03d5
Main IPC: H01L29/00
IPC: H01L29/00 ; H01L49/02 ; H01G4/33 ; H01G4/12 ; H01L21/56 ; H01L23/525 ; H01L23/522 ; H01L23/00 ; H01L23/12 ; H01L23/48 ; H01L23/498 ; H01L23/31

Abstract:

A wafer level package which includes an IC chip; a rewiring layer on the IC chip; and a capacitor embedded in the rewiring layer.

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）