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Invention Application
US20110042783A1 ELECTRONIC DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
电子设备及其制造方法

  • Patent Title: ELECTRONIC DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
  • Patent Title (中): 电子设备及其制造方法
  • Application No.: US12843869
    Application Date: 2010-07-26
  • Publication No.: US20110042783A1
    Publication Date: 2011-02-24
  • Inventor: Ching-Yu Ni
  • Applicant: Ching-Yu Ni
  • Main IPC: H01L29/92
  • IPC: H01L29/92 ;  H01L21/02 ;  H01L29/86
ELECTRONIC DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
Abstract:
An electronic device and fabrication method thereof are provided. The electronic device contains a glass substrate, a patterned semiconductor substrate, having at least one opening, disposed on the glass substrate and at least one passive component having a first conductive layer and a second conductive layer, wherein the first conductive layer is disposed between the patterned semiconductor substrate and the glass substrate.
Abstract(Chinese):

提供了一种电子设备及其制造方法。 该电子装置包括玻璃基板，具有至少一个开口的图案化半导体基板，设置在玻璃基板上，以及至少一个无源部件，具有第一导电层和第二导电层，其中第一导电层设置在 图案化的半导体衬底和玻璃衬底。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
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