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Invention Application
US20160204295A1 GRID FOR PLASMA ION IMPLANT 有权
GRID FOR PLASMA离子植入物

GRID FOR PLASMA ION IMPLANT
Abstract:
A grid for minimizing effects of ion divergence in plasma ion implant. The plasma grid is made of a flat plate having a plurality of holes, wherein the holes are arranged in a plurality of rows and a plurality of columns thereby forming beamlets of ions that diverge in one direction. A mask is used to form the implanted shapes on the wafer, wherein the holes in the mask are oriented orthogonally to the direction of beamlet divergence.
Abstract(Chinese):

用于最小化离子发散在等离子体离子注入中的网格。 等离子体格栅由具有多个孔的平板制成，其中孔布置成多行和多个列，从而形成沿一个方向发散的离子束。 掩模用于在晶片上形成植入的形状，其中掩模中的孔与子束发散的方向垂直。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）
H01L31/042 ..单个光伏电池的光伏模块或者阵列（用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00）
H01L31/05 ...光伏模块中光伏电池之间的电互连装置，例如，光伏电池的串联连接（电极入H01L 31/0224；形成在共同衬底上的薄膜太阳能电池的电互连入H01L 31/046；用于模块中相邻薄膜太阳能电池的电互连的特殊结构入H01L 31/0465；专门适用于电连接两个或多个光伏模块的电互连装置入H02S 40/36）
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