Method of making a semiconductor device

Invention Grant

US07645666B2 Method of making a semiconductor device 有权

Title translation: 制造半导体器件的方法

Please log in to see more content

Patent Title: Method of making a semiconductor device
Patent Title (中): 制造半导体器件的方法
Application No.: US11781320

Application Date: 2007-07-23
Publication No.: US07645666B2

Publication Date: 2010-01-12
Inventor: Detlef Wilhelm
Applicant: Detlef Wilhelm
Applicant Address: DE Neubiberg
Assignee: Infineon Technologies AG
Current Assignee: Infineon Technologies AG
Current Assignee Address: DE Neubiberg
Agency: Patent Department
Agent Philip Schlazer
Main IPC: H01L21/8249
IPC: H01L21/8249

Abstract:

One or more embodiments relate to a method of making a heterojunction bipolar transistor (HBT) structure. The method includes: forming a partially completed heterojunction bipolar transistor (HBT) structure where the partially completed heterojunction bipolar transistor (HBT) structure includes a silicon layer having an exposed surface and a nitride layer having an exposed surface. The method includes growing a first oxide on the silicon layer and etching the nitride layer using an etchant.

Abstract(Chinese):

一个或多个实施例涉及制造异质结双极晶体管（HBT）结构的方法。该方法包括：形成部分完成的异质结双极晶体管（HBT）结构，其中部分完成的异质结双极晶体管（HBT）结构包括具有暴露表面的硅层和具有暴露表面的氮化物层。该方法包括在硅层上生长第一氧化物并使用蚀刻剂蚀刻氮化物层。

Public/Granted literature

US20090029517A1 Method of Making a Semiconductor Device Public/Granted day:2009-01-29

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8248	......双极和场效应工艺的结合
H01L21/8249	.......双极和MOS工艺