Termination for a superjunction device

Invention Grant

US07659588B2 Termination for a superjunction device 有权

Title translation: 超级连接装置的终止

Please log in to see more content

Patent Title: Termination for a superjunction device
Patent Title (中): 超级连接装置的终止
Application No.: US11698373

Application Date: 2007-01-26
Publication No.: US07659588B2

Publication Date: 2010-02-09
Inventor: Ali Husain , Srikant Sridevan
Applicant: Ali Husain , Srikant Sridevan
Applicant Address: SG Singapore
Assignee: Siliconix Technology C. V.
Current Assignee: Siliconix Technology C. V.
Current Assignee Address: SG Singapore
Main IPC: H01L29/72
IPC: H01L29/72

Abstract:

A superjunction device that includes a termination region having a transition region adjacent the active region thereof, the transition region including a plurality of spaced columns.

Abstract(Chinese):

一种超结装置，其包括具有与其有源区相邻的过渡区的端接区，所述过渡区包括多个间隔的列。

Public/Granted literature

US20070222025A1 Termination for a superjunction device Public/Granted day:2007-09-27

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70	...双极器件
H01L29/72	....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的