中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up
Invention Grant
US07781812B2 Semiconductor device for non-volatile memory and method of manufacturing the same 有权
用于非易失性存储器的半导体器件及其制造方法

Semiconductor device for non-volatile memory and method of manufacturing the same
Abstract:
After forming an interlayer insulating film (14) covering a ferroelectric capacitor, a hydrogen diffusion preventing film (18), an etching stopper (19) and an interlayer insulating film (20) are formed. Then, a wiring having a tantalum nitride (TaN) film (21) (barrier metal film) and a copper (Cu) film (22) is formed in the interlayer insulating film (20) by a single damascene method. Thereafter, a wiring having a copper film (29) and a wiring having a copper film (36) and the like are formed by a dual damascene method.
Abstract(Chinese):

在形成覆盖铁电电容器的层间绝缘膜（14）之后，形成氢扩散防止膜（18），蚀刻阻挡层（19）和层间绝缘膜（20）。 然后，通过单镶嵌法在层间绝缘膜（20）中形成具有氮化钽（TaN）膜（21）（阻挡金属膜）和铜（Cu）膜（22）的布线。 此后，通过双镶嵌法形成具有铜膜（29）和具有铜膜（36）的布线等的布线。

Public/Granted literature
Information query
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
H01L29/94 ....金属—绝缘体—半导体，例如MOS
Patent Agency Ranking
0/0