Glue layer for hydrofluorocarbon etch

Invention Grant

US07902073B2 Glue layer for hydrofluorocarbon etch 有权

Title translation: 氟化氢蚀刻胶层

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Patent Title: Glue layer for hydrofluorocarbon etch
Patent Title (中): 氟化氢蚀刻胶层
Application No.: US11610953

Application Date: 2006-12-14
Publication No.: US07902073B2

Publication Date: 2011-03-08
Inventor: Ji Soo Kim , Sangheon Lee , Deepak K. Gupta , S. M. Reza Sadjadi
Applicant: Ji Soo Kim , Sangheon Lee , Deepak K. Gupta , S. M. Reza Sadjadi
Applicant Address: US CA Fremont
Assignee: Lam Research Corporation
Current Assignee: Lam Research Corporation
Current Assignee Address: US CA Fremont
Agency: Beyer Law Group LLP
Main IPC: H01L21/311
IPC: H01L21/311

Abstract:

A method for etching features in an etch layer disposed below a mask on a process wafer is provided. A hydrocarbon based glue layer is deposited. The etch layer on the process wafer is etched with at least one cycle, wherein each cycle comprises depositing a hydrofluorocarbon layer over the mask and on the hydrocarbon based glue layer, wherein the hydrocarbon based glue layer increases adhesion of the hydrofluorocarbon layer and etching the etch layer.

Abstract(Chinese):

提供了一种用于蚀刻设置在处理晶片上的掩模下方的蚀刻层中的特征的方法。沉积烃基胶层。用至少一个循环蚀刻处理晶片上的蚀刻层，其中每个循环包括在掩模上和基于烃的胶层上沉积氢氟碳化合物层，其中基于烃的胶层增加氢氟烃层的粘附和蚀刻蚀刻层。

Public/Granted literature

US20080146032A1 GLUE LAYER FOR HYDROFLUOROCARBON ETCH Public/Granted day:2008-06-19

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理
H01L21/311	.......绝缘层的刻蚀