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Invention Grant
US07906386B2 Semiconductor device and method of fabricating the same 失效
半导体装置及其制造方法

Semiconductor device and method of fabricating the same
Abstract:
A semiconductor device capable of preventing malfunction of a Schottky diode to reduce a failure ratio of the semiconductor device and a method for fabricating the same are disclosed. The semiconductor device includes first and second CMOS switching devices formed over a silicon substrate, a Schottky diode formed in a Schottky diode region, and a Schottky diode isolation film surrounding the Schottky diode region and isolating the Schottky diode from the silicon substrate.
Abstract(Chinese):

公开了能够防止肖特基二极管的故障以减少半导体器件的故障率的半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括形成在硅衬底上的第一和第二CMOS开关器件，肖特基二极管区域中形成的肖特基二极管和围绕肖特基二极管区域并将肖特基二极管与硅衬底隔离的肖特基二极管隔离膜。

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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8238 ........互补场效应晶体管，例如CMOS
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