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Invention Grant
US07960727B2 Zinc oxide based compound semiconductor device 有权
氧化锌基化合物半导体器件

  • Patent Title: Zinc oxide based compound semiconductor device
  • Patent Title (中): 氧化锌基化合物半导体器件
  • Application No.: US11992407
    Application Date: 2006-09-21
  • Publication No.: US07960727B2
    Publication Date: 2011-06-14
  • Inventor: Ken Nakahara , Yuji Hiroyuki
  • Applicant: Ken Nakahara , Yuji Hiroyuki
  • Applicant Address: JP Kyoto-shi
  • Assignee: Rohm Co., Ltd.
  • Current Assignee: Rohm Co., Ltd.
  • Current Assignee Address: JP Kyoto-shi
  • Agency: Rabin & Berdo, P.C.
  • Priority: JP2005-276207 20050922
  • International Application: PCT/JP2006/318720 WO 20060921
  • International Announcement: WO2007/034864 WO 20070329
  • Main IPC: H01L29/10
  • IPC: H01L29/10 ;  C30B25/18
Zinc oxide based compound semiconductor device
Abstract:
There is provided a zinc oxide based compound semiconductor device which, even when a semiconductor device is formed by forming a lamination portion having a hetero junction of ZnO based compound semiconductor layers, does not cause any rise in a drive voltage while ensuring p-type doping, and, at the same time, can realize good crystallinity and excellent device characteristics. ZnO based compound semiconductor layers (2) to (6) are epitaxially grown on the principal plane of a substrate (1) made of MgxZn1-xO (0≦x
Abstract(Chinese):

提供了一种氧化锌基化合物半导体器件，即使当通过形成具有ZnO基化合物半导体层的异质结的层叠部分形成半导体器件时，也不会导致驱动电压的任何上升，同时确保p型掺杂 ，同时可以实现良好的结晶度和优异的器件特性。 ZnO基化合物半导体层（2）〜（6）在由Mg x Zn 1-x O（0＆nlE; x <1）构成的基板（1）的主面上外延生长。 基板的主平面是A平面{11-20}或M平面{10-10}在-c轴方向上倾斜的平面。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02 .按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06 ..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H01L29/10 ...具有连接到1个不通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的
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