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Invention Grant
US07964495B2 Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor image sensor 失效
互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法

Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor image sensor
Abstract:
A method of manufacturing a CMOS image sensor manufacturing includes forming a plurality of metal pads over a semiconductor substrate; electrically connecting the metal pads to lower conductive film patterns of multi-layer metal wires using metal contacts; depositing an insulation film over the metal pads; patterning the insulation film to expose at least a portion of the upper surface of the metal pads; and removing impurities from an uppermost surface of the metal pads.
Abstract(Chinese):

制造CMOS图像传感器的制造方法包括在半导体衬底上形成多个金属焊盘; 使用金属触点将金属焊盘电连接到多层金属线的下导电膜图案; 在金属垫上沉积绝缘膜; 图案化绝缘膜以暴露金属垫的上表面的至少一部分; 以及从所述金属焊盘的最上表面去除杂质。

Public/Granted literature
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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
H01L21/321 .......后处理
H01L21/3213 ........对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层
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