Method for fabricating 1T-DRAM on bulk silicon

Invention Grant

US08008137B2 Method for fabricating 1T-DRAM on bulk silicon 有权

Title translation: 在体硅上制造1T-DRAM的方法

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Patent Title: Method for fabricating 1T-DRAM on bulk silicon
Patent Title (中): 在体硅上制造1T-DRAM的方法
Application No.: US11674008

Application Date: 2007-02-12
Publication No.: US08008137B2

Publication Date: 2011-08-30
Inventor: Albert Wu , Roawen Chen
Applicant: Albert Wu , Roawen Chen
Applicant Address: BB St. Michael
Assignee: Marvell World Trade Ltd.
Current Assignee: Marvell World Trade Ltd.
Current Assignee Address: BB St. Michael
Main IPC: H01L21/84
IPC: H01L21/84

Method for fabricating 1T-DRAM on bulk silicon

Abstract:

An integrated circuit includes a bulk technology integrated circuit (bulk IC) including a bulk silicon layer and complementary MOSFET (CMOS) transistors fabricated thereon. The integrated circuit also includes a single transistor dynamic random access memory (1T DRAM) cell arranged adjacent to and integrated with the bulk IC.

Abstract(Chinese):

一种集成电路包括一体式技术集成电路（体积IC），其包括在其上制造的体硅层和互补MOSFET（CMOS）晶体管。该集成电路还包括与本体IC相邻且集成布置的单晶体管动态随机存取存储器（1T DRAM）单元。

Public/Granted literature

US20070215906A1 METHOD FOR FABRICATING 1T-DRAM ON BULK SILICON Public/Granted day:2007-09-20

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Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84	.....衬底不是半导体的，例如绝缘体