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Invention Grant
US08012879B2 Etching method using an at least semi-solid media 有权
使用至少半固体介质的蚀刻方法

  • Patent Title: Etching method using an at least semi-solid media
  • Patent Title (中): 使用至少半固体介质的蚀刻方法
  • Application No.: US11456903
    Application Date: 2006-07-12
  • Publication No.: US08012879B2
    Publication Date: 2011-09-06
  • Inventor: Darwin Rusli
  • Applicant: Darwin Rusli
  • Applicant Address: US TX Dallas
  • Assignee: Texas Instruments Incorporated
  • Current Assignee: Texas Instruments Incorporated
  • Current Assignee Address: US TX Dallas
  • Agent Jacqueline J. Garner; Wade J. Brady III; Frederick J. Telecky Jr.
  • Main IPC: H01L21/311
  • IPC: H01L21/311
Etching method using an at least semi-solid media
Abstract:
An etching method that uses an etch reactant retained within at least a semi-solid media (120, 220, 224, 230). The etch reactant media is applied to selectively etch a surface layer (106, 218, 222). The etch reactant media may be applied to remove metal shorts (222), smearing and eaves resulting from CMP or in failure analysis for uniform removal of a metal layer (218) without damaging the vias, contact, or underlying structures.
Abstract(Chinese):

一种蚀刻方法，其使用保留在至少半固体介质（120,220,224,230）内的蚀刻反应物。 施加蚀刻反应物介质以选择性地蚀刻表面层（106,218,222）。 可以施加蚀刻反应物介质以除去由CMP产生的金属短路（222），拖尾和屋檐，或用于在不损坏通孔，接触或下面的结构的情况下均匀地去除金属层（218）的故障分析。

Public/Granted literature
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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105 ......后处理
H01L21/311 .......绝缘层的刻蚀
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