中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up
Invention Grant
US08097534B2 Method for manufacturing semiconductor device and storage medium 有权
半导体器件和存储介质的制造方法

Method for manufacturing semiconductor device and storage medium
Abstract:
On an etching target film formed on a substrate, a three-layer resist is laminated. This three-layer resist includes an organic film and a resist film developed into a resist pattern. Through the resist pattern, the organic film is etched into a mask pattern through which the etching target film will be etched.The organic film is etched with plasma which is obtained by exciting a process gas containing carbon dioxide and hydrogen to the plasma state. This scheme makes it possible to form a high perpendicularity mask pattern in the organic film.
Abstract(Chinese):

在形成在基板上的蚀刻目标膜上层叠三层抗蚀剂。 该三层抗蚀剂包括显影成抗蚀剂图案的有机膜和抗蚀剂膜。 通过抗蚀剂图案，将有机膜蚀刻成蚀刻目标膜将被蚀刻的掩模图案。 用等离子体蚀刻有机膜，该等离子体是通过将含有二氧化碳和氢气的工艺气体激发到等离子体状态获得的。 该方案使得可以在有机膜中形成高垂直度掩模图案。

Public/Granted literature
Information query
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
Patent Agency Ranking
0/0