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Invention Grant
US08154030B2 Integrated diode in a silicon chip scale package 有权
集成二极管在硅芯片级封装

Integrated diode in a silicon chip scale package
Abstract:
An optical component with integrated back monitor photodiode. The optical component includes a substrate doped with a first type dopant, such as an n-type dopant. The substrate has a trench with sloped walls. An optical source is disposed in the trench. An implant of a second type dopant, such as a p-type dopant, is in the substrate around at a least a portion of the optical source. The implant in the substrate in combination with the first type dopant in the substrate forms a diode.
Abstract(Chinese):

具有集成后监视器光电二极管的光学部件。 光学部件包括掺杂有第一类型掺杂剂的衬底，例如n型掺杂剂。 衬底具有倾斜壁的沟槽。 光源设置在沟槽中。 第二类型掺杂剂（例如p型掺杂剂）的注入在光源的至少一部分周围的衬底中。 与衬底中的第一类型掺杂剂组合的衬底中的注入形成二极管。

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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的（场致发光光源本身入H05B33/00）
H01L31/14 ..由对辐射敏感的半导体器件控制的单光源或多光源，例如图像变换器、图像放大器、图像存储器件
H01L31/147 ...对辐射敏感的光源和器件，均为以至少一个势垒或面垒为特征的半导体器件
H01L31/153 ....在一个公共衬底之内或之上形成的
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