GaN-based semiconductor element

Invention Grant

US08178898B2 GaN-based semiconductor element 有权

Title translation: GaN基半导体元件

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Patent Title: GaN-based semiconductor element
Patent Title (中): GaN基半导体元件
Application No.: US12535071

Application Date: 2009-08-04
Publication No.: US08178898B2

Publication Date: 2012-05-15
Inventor: Nariaki Ikeda , Seikoh Yoshida
Applicant: Nariaki Ikeda , Seikoh Yoshida , Masatoshi Ikeda, legal representative
Applicant Address: JP Tokyo
Assignee: Furukawa Electric Co., Ltd.
Current Assignee: Furukawa Electric Co., Ltd.
Current Assignee Address: JP Tokyo
Agency: Lowe, Hauptman, Ham & Berner, LLP
Priority: JP2007-076004 20070323
Main IPC: H01L29/205
IPC: H01L29/205

Abstract:

A GaN-based semiconductor element includes a substrate, a buffer layer formed on the substrate, including an electrically conductive portion, an epitaxial layer formed on the buffer layer, and a metal structure in ohmic contact with the electrically conductive portion of the buffer layer for controlling an electric potential of the buffer layer.

Abstract(Chinese):

GaN基半导体元件包括衬底，形成在衬底上的缓冲层，包括导电部分，形成在缓冲层上的外延层，以及与缓冲层的导电部分欧姆接触的金属结构，控制缓冲层的电位。

Public/Granted literature

US20100032683A1 GaN-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT Public/Granted day:2010-02-11

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12	..按其构成材料的特征区分的
H01L29/20	...除掺杂材料或其他杂质外，只包括AⅢBⅤ化合物的
H01L29/201	....包括两种或更多种化合物的
H01L29/205	.....在不同半导体区域中的