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Invention Grant
US08178899B2 Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device 失效
半导体器件的半导体器件和制造方法

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device
Abstract:
A semiconductor device and a fabrication method of the semiconductor device, the semiconductor device including: a substrate; a nitride based compound semiconductor layer placed on the substrate and doped with a first transition metal atom; an aluminum gallium nitride layer (AlxGa1−xN) (where 0.1
Abstract(Chinese):

半导体器件和半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：衬底; 放置在基板上并掺杂有第一过渡金属原子的氮化物基化合物半导体层; 置于氮化物基化合物半导体层上的氮化镓铝层（Al x Ga 1-x N）（其中，0.1 <= x <= 1） 放置在氮化铝镓层（Al x Ga 1-x N）（其中0.1 <= x <= 1）上并掺杂有第二过渡金属原子的氮化物基化合物半导体层; 放置在掺杂有第二过渡金属原子的氮化物基化合物半导体层上的氮化镓铝层（Al y Ga 1-y N）（其中0.1 <= y <= 1） 以及放置在氮化铝镓层（Al y Ga 1-y N）上（其中0.1≤y≤1）的栅电极，源电极和漏电极。 因此，压电电荷失活，泄漏电流和电流崩溃减少，通过获得高电阻率半导体层可以提高高频特性，并且可以获得稳定的高频性能。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/778 .....带有二维载流子气沟道的，如HEMT
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