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US08222096B2 Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device 失效
用于形成有机半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法

  • Patent Title: Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device
  • Patent Title (中): 用于形成有机半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法
  • Application No.: US12508007
    Application Date: 2009-07-23
  • Publication No.: US08222096B2
    Publication Date: 2012-07-17
  • Inventor: Akihiro Nomoto
  • Applicant: Akihiro Nomoto
  • Applicant Address: JP Tokyo
  • Assignee: Sony Corporation
  • Current Assignee: Sony Corporation
  • Current Assignee Address: JP Tokyo
  • Agency: SNR Denton US LLP
  • Priority: JP2008-195958 20080730
  • Main IPC: H01L21/84
  • IPC: H01L21/84
Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device
Abstract:
A method for forming an organic semiconductor thin film includes the steps of forming a mixed ink layer on a principal plane of a printing plate, the mixed ink layer including a mixture of an organic semiconductor material incapable of transcription and an organic material capable of transcription from the printing plate to a substrate in ink form dissolved in a solvent, and forming an organic semiconductor thin film by transcribing the mixed ink layer onto the substrate by transcribing the mixed ink layer on the printing plate to the substrate.
Abstract(Chinese):

一种形成有机半导体薄膜的方法包括以下步骤：在印版的主平面上形成混合墨层，所述混合墨层包括不能转录的有机半导体材料和能够转印的有机半导体材料的混合物 将印版印刷成溶解在溶剂中的油墨形式的基材，通过将印刷板上的混合油墨层转印到基材上，将混合油墨层转印到基材上形成有机半导体薄膜。

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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84 .....衬底不是半导体的，例如绝缘体
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