Forming a copper diffusion barrier

Invention Grant

US08227335B2 Forming a copper diffusion barrier 有权

Title translation: 形成铜扩散屏障

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Patent Title: Forming a copper diffusion barrier
Patent Title (中): 形成铜扩散屏障
Application No.: US11897862

Application Date: 2007-08-31
Publication No.: US08227335B2

Publication Date: 2012-07-24
Inventor: Steven W. Johnston , Valery M. Dubin , Michael L. McSwiney , Peter Moon
Applicant: Steven W. Johnston , Valery M. Dubin , Michael L. McSwiney , Peter Moon
Applicant Address: US CA Santa Clara
Assignee: Intel Corporation
Current Assignee: Intel Corporation
Current Assignee Address: US CA Santa Clara
Agency: Trop, Pruner & Hu, P.C.
Main IPC: H01L21/4763
IPC: H01L21/4763

Abstract:

Noble metal may be used as a non-oxidizing diffusion barrier to prevent diffusion from copper lines. A diffusion barrier may be formed of a noble metal formed over an adhesion promoting layer or by a noble metal cap over an oxidizable diffusion barrier. The copper lines may also be covered with a noble metal.

Abstract(Chinese):

贵金属可用作非氧化扩散阻挡层，以防止铜线扩散。扩散阻挡层可以由在可氧化扩散阻挡层上形成在粘附促进层上或由贵金属盖形成的贵金属形成。铜线也可以用贵金属覆盖。

Public/Granted literature

US20070298608A1 Forming a copper diffusion barrier Public/Granted day:2007-12-27

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）