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Invention Grant
US08227857B2 Planar extended drain transistor and method of producing the same 有权
平面延伸漏极晶体管及其制造方法

  • Patent Title: Planar extended drain transistor and method of producing the same
  • Patent Title (中): 平面延伸漏极晶体管及其制造方法
  • Application No.: US12531578
    Application Date: 2008-03-12
  • Publication No.: US08227857B2
    Publication Date: 2012-07-24
  • Inventor: Pierre Goarin
  • Applicant: Pierre Goarin
  • Applicant Address: NL Eindhoven
  • Assignee: NXP B.V.
  • Current Assignee: NXP B.V.
  • Current Assignee Address: NL Eindhoven
  • Priority: EP07104400 20070319
  • International Application: PCT/IB2008/050893 WO 20080312
  • International Announcement: WO2008/114167 WO 20080925
  • Main IPC: H01L29/78
  • IPC: H01L29/78 ;  H01L21/336
Planar extended drain transistor and method of producing the same
Abstract:
A planar extended drain transistor (100) is provided which comprises a control gate (102), a drain region (109), a channel region (107), and a drift region (108), wherein the drift region (108) is arranged between the channel region (107) and the drain region (109). Furthermore, the control gate (102) is at least partially buried into the channel region (107) and the drift region (108) comprises a doping material density which is lower than the doping material density of the drain region (109).
Abstract(Chinese):

提供了一种平面扩展漏极晶体管（100），其包括控制栅极（102），漏极区域（109），沟道区域（107）和漂移区域（108），其中漂移区域（108）被布置 在沟道区域（107）和漏极区域（109）之间。 此外，控制栅极（102）至少部分地埋入沟道区域（107）中，并且漂移区域（108）包括掺杂材料密度低于漏极区域（109）的掺杂材料密度。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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