提供了一种半导体激光器，其中（λa-λw）> 15（nm）和Lt <25（μm），其中λw是对应于设置在距离2内的位置的有源层的带隙的光的波长 μm，λa是与位于距离等于或大于（3/10）L的位置处的有源层的带隙对应的光的波长，并且<（7 / 10）L，谐振器长度为“L”，“Lt”为有源层的位置与光波长对应的带隙之间的过渡区域的长度 的λw+ 2（nm）的波长的有源层的位置以及在谐振器方向上具有对应于λa-2（nm）的光波长的带隙的有源层的位置。