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Invention Grant
US08354345B2 Method for forming side contact in semiconductor device through self-aligned damascene process 有权
通过自对准镶嵌工艺在半导体器件中形成侧面接触的方法

  • Patent Title: Method for forming side contact in semiconductor device through self-aligned damascene process
  • Patent Title (中): 通过自对准镶嵌工艺在半导体器件中形成侧面接触的方法
  • Application No.: US12777572
    Application Date: 2010-05-11
  • Publication No.: US08354345B2
    Publication Date: 2013-01-15
  • Inventor: Sang-Oh Lee
  • Applicant: Sang-Oh Lee
  • Applicant Address: KR Gyeonggi-do
  • Assignee: Hynix Semiconductor Inc.
  • Current Assignee: Hynix Semiconductor Inc.
  • Current Assignee Address: KR Gyeonggi-do
  • Agency: IP & T Group LLP
  • Priority: KR10-2009-0117437 20091130
  • Main IPC: H01L21/311
  • IPC: H01L21/311
Method for forming side contact in semiconductor device through self-aligned damascene process
Abstract:
A method for fabricating a semiconductor device includes forming a plurality of active regions, each having a first sidewall and a second sidewall, by etching a semiconductor substrate, forming an insulation layer on the first sidewall and the second sidewall, forming an etch stop layer filling a portion of each gap between the active regions, forming a recess exposing the insulation layer formed on any one sidewall from among the first sidewall and the second sidewall, and forming a side contact exposing a portion of any one sidewall from among the first sidewall and the second sidewall by selectively removing a portion of the insulation layer.
Abstract(Chinese):

一种制造半导体器件的方法包括通过蚀刻半导体衬底形成多个有源区，每个有源区具有第一侧壁和第二侧壁，在第一侧壁和第二侧壁上形成绝缘层，形成刻蚀停止层填充 在所述有源区之间的每个间隙的一部分，形成露出在所述第一侧壁和所述第二侧壁中的任何一个侧壁上形成的所述绝缘层的凹部，以及形成侧接触，暴露所述第一侧壁中的任何一个侧壁的一部分， 所述第二侧壁通过选择性地去除绝缘层的一部分。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105 ......后处理
H01L21/311 .......绝缘层的刻蚀
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