Ruthenium-containing precursors for CVD and ALD

Invention Grant

US08357614B2 Ruthenium-containing precursors for CVD and ALD 有权

Title translation: 用于CVD和ALD的含钌前体

Patent Title: Ruthenium-containing precursors for CVD and ALD
Patent Title (中): 用于CVD和ALD的含钌前体
Application No.: US12981798

Application Date: 2010-12-30
Publication No.: US08357614B2

Publication Date: 2013-01-22
Inventor: Satoko Gatineau
Applicant: Satoko Gatineau
Applicant Address: FR Paris
Assignee: L'Air Liquide Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude
Current Assignee: L'Air Liquide Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude
Current Assignee Address: FR Paris
Agent Patricia E. McQueeney
Main IPC: H01L21/44
IPC: H01L21/44 ; H01B1/24 ; C07F15/00 ; C23C16/00

Abstract:

Disclosed are ruthenium-containing precursors and methods of using the same in CVD and ALD.

Abstract(Chinese):

公开了含钌前体及其在CVD和ALD中的使用方法。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/44	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的