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Invention Grant
US08357968B2 Non-volatile memory semiconductor device 有权
非易失性存储器半导体器件

Non-volatile memory semiconductor device
Abstract:
A non-volatile memory semiconductor device having one end of an electricity supply line ESL arranged over a terminal end TE1 and the other end thereof arranged over a terminal end TE2, the central portion of the electricity supply line ESL being arranged over a dummy part DMY. The terminal end TE1, the terminal end TE2, and the dummy part DMY have substantially the same height, so that most of the electricity supply line ESL arranged from over the terminal end TE1 to over the terminal end TE2 via the dummy part DMY has the same height.
Abstract(Chinese):

一种非易失性存储器半导体器件，其具有布置在终端TE1上的供电线ESL的一端，并且其另一端布置在终端TE2上，电源线ESL的中心部分布置在虚拟部分DMY上 。 终端TE1，终端TE2和虚拟部分DMY具有大致相同的高度，使得从终端TE1的上方排出的大部分电力供给线ESL经由虚拟部分DMY到达终端TE2，具有 相同的高度

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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/792 ......带有电荷捕获栅绝缘体，例如MNOS存储晶体管
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