Aluminum implant using new compounds

Invention Grant

US08367531B1 Aluminum implant using new compounds 有权

Title translation: 使用新化合物的铝植入物

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Patent Title: Aluminum implant using new compounds
Patent Title (中): 使用新化合物的铝植入物
Application No.: US13041154

Application Date: 2011-03-04
Publication No.: US08367531B1

Publication Date: 2013-02-05
Inventor: Vincent M. Omarjee , Christian Dussarrat , Jean-Marc Girard , Nicolas Blasco
Applicant: Vincent M. Omarjee , Christian Dussarrat , Jean-Marc Girard , Nicolas Blasco
Applicant Address: FR Paris US CA Fremont
Assignee: L'Air Liquide Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude,American Air Liquide, Inc.
Current Assignee: L'Air Liquide Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude,American Air Liquide, Inc.
Current Assignee Address: FR Paris US CA Fremont
Agent Allen E. White
Main IPC: H01L21/425
IPC: H01L21/425

Abstract:

The present invention provides molecules useful for aluminum implant in semiconductor materials. The molecules can be used in various doping techniques such as ion implant, plasma doping or derivates methods.

Abstract(Chinese):

本发明提供了可用于半导体材料中的铝植入物的分子。分子可用于各种掺杂技术，例如离子注入，等离子体掺杂或衍生物方法。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/42	....用辐射轰击的
H01L21/423	.....带有高能辐射的
H01L21/425	......产生离子注入的