在由ZnO类半导体制成的基板（2）上形成p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）。 p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）的构成为，使Mg相对于Zn的比例的X为0以上，X <1，优选为0＆lt; nlE; X＆lt; lE; 0.5。 在p型MgZnO薄膜（1）中，作为受体的p型杂质的氮含量约为5.0×1018 cm -3以上。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硅的IV族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×10 17 cm -3以下。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硼和铝的III族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×1016 cm -3以下。