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Invention Grant
US08415689B2 Semiconductor light emitting device 有权
半导体发光器件

Semiconductor light emitting device
Abstract:
The embodiment discloses a semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device comprises a first conductive semiconductor layer, an active layer on the first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer on the active layer, a first electrode formed under the first conductive semiconductor layer and comprising a patterns of a predetermined shape, and a nitride semiconductor layer between the patterns of the first electrode.
Abstract(Chinese):

该实施例公开了一种半导体发光器件。 半导体发光器件包括第一导电半导体层，第一导电半导体层上的有源层，有源层上的第二导电半导体层，形成在第一导电半导体层下面的第一电极，并且包括预定形状的图案 ，以及在第一电极的图案之间的氮化物半导体层。

Public/Granted literature
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02 .按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12 ..按其构成材料的特征区分的
H01L29/20 ...除掺杂材料或其他杂质外，只包括AⅢBⅤ化合物的
H01L29/201 ....包括两种或更多种化合物的
H01L29/205 .....在不同半导体区域中的
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