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Invention Grant
US08415747B2 Semiconductor device including diode 有权
半导体器件包括二极管

Semiconductor device including diode
Abstract:
A semiconductor device includes a cathode and an anode. The anode includes a first p-type semiconductor anode region and a second p-type semiconductor anode region. The first p-type semiconductor anode region is electrically connected to an anode contact area. The second p-type semiconductor anode region is electrically coupled to the anode contact area via a switch configured to provide an electrical connection or an electrical disconnection between the second p-type anode region and the anode contact area.
Abstract(Chinese):

半导体器件包括阴极和阳极。 阳极包括第一p型半导体阳极区域和第二p型半导体阳极区域。 第一p型半导体阳极区域电连接到阳极接触区域。 第二p型半导体阳极区域经由配置成在第二p型阳极区域和阳极接触区域之间提供电连接或电断开的开关电耦合到阳极接触区域。

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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/788 ......带有浮栅的
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