报道了一种基于现场可配置离子掺杂聚合物的存储电容器。 该器件可以动态可逆地编程为具有低电压（<5 V）脉冲的模拟电容。 器件编程为特定值后，其电容保持不变。 场可配置电容归因于聚合物中离子掺杂剂浓度的改变。 当施加到电极的电压偏压超过阈值时，可以修改离子导电层中的离子和偶极子浓度，并且当施加小于阈值的电压时可以作为常规电容器工作。 器件修改后，离子导电层将保持在稳定的值，而不施加外部电压。 即使外部电压关闭，该器件也具有非易失性存储功能。 存储电容器可用于模拟存储器，非线性模拟和神经元电路。