Semiconductor element

Invention Grant

US08624265B2 Semiconductor element 有权

Title translation: 半导体元件

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Patent Title: Semiconductor element
Patent Title (中): 半导体元件
Application No.: US13234943

Application Date: 2011-09-16
Publication No.: US08624265B2

Publication Date: 2014-01-07
Inventor: Wataru Saito
Applicant: Wataru Saito
Applicant Address: JP Tokyo
Assignee: Kabushiki Kaisha Toshiba
Current Assignee: Kabushiki Kaisha Toshiba
Current Assignee Address: JP Tokyo
Agency: Patterson & Sheridan, LLP
Priority: JP2011-014279 20110126
Main IPC: H01L29/15
IPC: H01L29/15 ; H01L31/0312

Abstract:

According to one embodiment, the semiconductor element includes a semi-insulating substrate which has a first first-conductivity-type layer. The semiconductor element includes a first semiconductor layer. The first semiconductor layer contains non-doped AlXGa1-XN (0≦X

Abstract(Chinese):

根据一个实施例，半导体元件包括具有第一第一导电型层的半绝缘衬底。半导体元件包括第一半导体层。第一半导体层包含非掺杂的AlXGa1-XN（0 @ X <1）。半导体元件包括第二半导体层。第二半导体层包含非掺杂或第二导电型AlYGa1-YN（0

Public/Granted literature

US20120187451A1 SEMICONDUCTOR ELEMENT Public/Granted day:2012-07-26

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Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/12	..按其构成材料的特征区分的
H01L29/15	... · ·带有周期性或准周期性电势变化的结构，如多量子阱、超晶格（应用于光控制的这种结构入G02F1/017；应用于半导体激光器的入H01S5/34）