根据一个实施例，一种半导体器件的制造方法，包括在具有Si1-xGex（0 @）的支撑衬底的表面上形成栅极长度方向设置为垂直于[110]方向的[111]方向的虚拟栅极 x <0.5），具有垂直于在表面上设置为[110]方向的表面的晶体取向，形成源极/漏极区域并在虚拟栅极的侧部分上形成绝缘膜。 接下来，使用绝缘膜作为掩模蚀刻伪栅极，并且进一步蚀刻在源极/漏极区域之间的衬底的表面部分。 接下来，通过使用源极/漏极区域的边缘部分作为晶种，在源极/漏极区域之间生长由III-V族半导体或Ge形成的沟道区域。 然后，通过栅极绝缘膜在沟道区的上方形成栅电极。