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Invention Grant
US08669605B2 Semiconductor device and arrangement method of compensation capacitor of semiconductor device 失效
半导体器件补偿电容器的半导体器件和布置方法

  • Patent Title: Semiconductor device and arrangement method of compensation capacitor of semiconductor device
  • Patent Title (中): 半导体器件补偿电容器的半导体器件和布置方法
  • Application No.: US12722101
    Application Date: 2010-03-11
  • Publication No.: US08669605B2
    Publication Date: 2014-03-11
  • Inventor: Yoshiaki Shimizu
  • Applicant: Yoshiaki Shimizu
  • Agency: Foley & Lardner LLP
  • Priority: JP2009-063657 20090316
  • Main IPC: H01L29/92
  • IPC: H01L29/92 ;  H01L29/93
Semiconductor device and arrangement method of compensation capacitor of semiconductor device
Abstract:
A semiconductor device comprises a circuit cell and a basic end cell. The circuit cell includes a plurality of elements aligned in a first direction, and the basic end cell is arranged adjacent to the circuit cell in the first direction and has a compensation capacitor capable of being connected to a supply voltage of the circuit cell. In the semiconductor device, a diffusion layer forming the compensation capacitor extends along the first direction in a predetermined region of the circuit cell.
Abstract(Chinese):

半导体器件包括电路单元和基本端单元。 电路单元包括沿第一方向排列的多个元件，并且基本端单元沿着第一方向布置成与电路单元相邻，并且具有能够连接到电路单元的电源电压的补偿电容器。 在半导体器件中，形成补偿电容器的扩散层沿电路单元的预定区域中的第一方向延伸。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
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