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Invention Grant
US08697513B2 Manufacturing method of semiconductor device having N-channel MOS transistor, P-channel MOS transistor and expanding or contracting film 有权
具有N沟道MOS晶体管，P沟道MOS晶体管和扩展或收缩膜的半导体器件的制造方法

Manufacturing method of semiconductor device having N-channel MOS transistor, P-channel MOS transistor and expanding or contracting film
Abstract:
In a second direction, in a plan view, an n-channel MOS transistor and an expanding film are adjacent. Therefore, the n-channel MOS transistor receives a positive stress in the direction in which a channel length is extended from the expanding film. As a result, a positive tensile strain in an electron moving direction is generated in a channel of the n-channel MOS transistor. On the other hand, in the second direction, in a plan view, a p-channel MOS transistor and the expanding film are shifted from each other. Therefore, the p-channel MOS transistor receives a positive stress in the direction in which a channel length is narrowed from the expanding film. As a result, a positive compressive strain in a hole moving direction is generated in a channel of the p-channel MOS transistor. Thus, both on-currents of the n-channel MOS transistor and the p-channel MOS transistor can be improved.
Abstract(Chinese):

在第二方向上，在平面图中，n沟道MOS晶体管和扩展膜相邻。 因此，n沟道MOS晶体管在从扩展膜延伸沟道长度的方向上接收正应力。 结果，在n沟道MOS晶体管的沟道中产生电子移动方向上的正拉伸应变。 另一方面，在第二方向上，在平面图中，p沟道MOS晶体管和扩展膜彼此偏移。 因此，p沟道MOS晶体管在沟道长度从膨胀膜变窄的方向接收正应力。 结果，在p沟道MOS晶体管的沟道中产生空穴移动方向上的正的压缩应变。 因此，可以提高n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管的导通电流。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8238 ........互补场效应晶体管，例如CMOS
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