Method for producing a bonded substrate

Invention Grant

US08716106B2 Method for producing a bonded substrate 有权

Title translation: 键合衬底的制造方法

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Patent Title: Method for producing a bonded substrate
Patent Title (中): 键合衬底的制造方法
Application No.: US12744567

Application Date: 2008-11-27
Publication No.: US08716106B2

Publication Date: 2014-05-06
Inventor: Shoji Akiyama
Applicant: Shoji Akiyama
Applicant Address: JP Tokyo
Assignee: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Current Assignee: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Current Assignee Address: JP Tokyo
Agency: Roberts Mlotkowski Safran & Cole, P.C.
Agent David S. Safran
Priority: JP2007-306406 20071127
International Application: PCT/JP2008/071573 WO 20081127
International Announcement: WO2009/069709 WO 20090604
Main IPC: H01L21/30
IPC: H01L21/30

Abstract:

A method for producing a bonded substrate having a Si1-xGex (0

Abstract(Chinese):

一种具有Si1-xGex（0＆lt; x＆lt; 1E; 1）膜的键合衬底的制造方法，其中已经引入了比以往任何时候的双轴应变。具体地说，该方法至少包括以下步骤：提供施主晶片和具有低于施主晶片的热膨胀系数的处理晶片，将氢和惰性气体中的任何一种或两者的离子注入到供体晶片中以形成离子注入层，在施主晶片和处理晶片的至少一个接合表面上执行等离子体激活处理，将施主晶片接合到处理晶片，通过对离子注入施加机械冲击来分裂供体晶片层，在施主晶片的分割面上进行表面处理，并在分割面上外延生长Si1-xGex（0

Public/Granted literature

US20100301455A1 METHOD FOR PRODUCING A BONDED SUBSTRATE Public/Granted day:2010-12-02

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）