公开了涉及低能量（<300eV）的三步离子束蚀刻（IBE）序列，用于将传感器临界尺寸（自由层宽度= FLW）修整到小于50nm。 第一个IBE步骤相对于传感器侧壁具有陡峭的入射角，占FLW降低的60％至90％。 第二IBE步骤具有浅入射角和扫动运动，以从第一IBE步骤去除残留物并进一步修整侧壁。 第三IBE步骤具有陡峭的入射角度，以从第二步骤去除损坏的侧壁部分，占FLW减少量的10％至40％。 结果，FLW接近30nm，同时保持60％以上的高MR比和1.2ohm-μm2的低RA。 通过改变一个或多个离子束入射角来操纵侧壁角。