Contact for memory cell

Invention Grant

US08728932B2 Contact for memory cell 有权

Title translation: 存储单元的联系

Please log in to see more content

Patent Title: Contact for memory cell
Patent Title (中): 存储单元的联系
Application No.: US13734476

Application Date: 2013-01-04
Publication No.: US08728932B2

Publication Date: 2014-05-20
Inventor: Jun Liu
Applicant: Micron Technology, Inc.
Applicant Address: US ID Boise
Assignee: Micron Technology, Inc.
Current Assignee: Micron Technology, Inc.
Current Assignee Address: US ID Boise
Agency: Dickstein Shapiro LLP
Main IPC: H01L21/4763
IPC: H01L21/4763

Abstract:

A contact for memory cells and integrated circuits having a conductive layer supported by the sidewall of a dielectric mesa, memory cells incorporating such a contact, and methods of forming such structures.

Abstract(Chinese):

具有由电介质台面的侧壁支撑的导电层的存储器单元和集成电路的触点，以及包含这种触点的存储单元以及形成这种结构的方法。

Public/Granted literature

US20130149861A1 CONTACT FOR MEMORY CELL Public/Granted day:2013-06-13

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）