Metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors and methods of fabrication

Invention Grant

US08741705B2 Metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors and methods of fabrication 有权

Title translation: 金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制造方法

Patent Title: Metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors and methods of fabrication
Patent Title (中): 金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制造方法
Application No.: US13930332

Application Date: 2013-06-28
Publication No.: US08741705B2

Publication Date: 2014-06-03
Inventor: Thomas Dungan , Phil Nikkel
Applicant: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.
Applicant Address: SG Singapore
Assignee: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.
Current Assignee: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.
Current Assignee Address: SG Singapore
Main IPC: H01L21/338
IPC: H01L21/338

Abstract:

A method of fabricating Group III-V semiconductor metal oxide semiconductor (MOS) and III-V MOS devices are described.

Abstract(Chinese):

描述了制造III-V族半导体金属氧化物半导体（MOS）和III-V MOS器件的方法。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/338	......带有肖特基栅的