本发明的多晶硅含有：（a）多晶硅碎片，其中至少90％的片段具有10至40mm的尺寸，（b）<15ppmw的粒径<400μm的硅粉粒子; （c）<14ppmw的粒径<50μm的硅粉粒子; （d）<10ppmw的粒径<10μm的硅粉粒子; （e）<3ppmw的粒径小于1μm的硅粉颗粒; 和（f）表面金属杂质含量为0.1ppbw和≥100ppbw。 本发明的多晶硅制造方法包括将沉积在西门子反应器中的细棒上的多晶硅压碎成碎片; 按大小分类片段; 并用压缩空气或干冰处理碎片以从碎片中除去硅粉，而不用湿化学清洗。