Resist composition and method for producing semiconductor device

Invention Grant

US08765353B2 Resist composition and method for producing semiconductor device 有权

Title translation: 抗蚀剂组合物和半导体器件的制造方法

Patent Title: Resist composition and method for producing semiconductor device
Patent Title (中): 抗蚀剂组合物和半导体器件的制造方法
Application No.: US13238004

Application Date: 2011-09-21
Publication No.: US08765353B2

Publication Date: 2014-07-01
Inventor: Koji Arimitsu , Nobuyuki Matsuzawa , Isao Mita
Applicant: Koji Arimitsu , Nobuyuki Matsuzawa , Isao Mita
Applicant Address: JP Tokyo
Assignee: Sony Corporation
Current Assignee: Sony Corporation
Current Assignee Address: JP Tokyo
Agency: Dentons US LLP
Priority: JPP2010-217862 20100928
Main IPC: G03F7/004
IPC: G03F7/004 ; G03F7/038 ; G03F7/40

Abstract:

A resist composition includes: a crosslinking material that is crosslinked in the presence of an acid; an acid amplifier; and a solvent.

Abstract(Chinese):

抗蚀剂组合物包括：在酸存在下交联的交联材料; 酸放大器; 和溶剂。

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IPC分类:

G	物理
G03	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F	图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G）
G03F7/00	图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L21/00，H05K）
G03F7/004	.感光材料（G03F7/12，G03F7/14优先）