Variable resistance semiconductor memory device

Invention Grant

US08772751B2 Variable resistance semiconductor memory device 有权

Title translation: 可变电阻半导体存储器件

Patent Title: Variable resistance semiconductor memory device
Patent Title (中): 可变电阻半导体存储器件
Application No.: US13234388

Application Date: 2011-09-16
Publication No.: US08772751B2

Publication Date: 2014-07-08
Inventor: Akira Takashima , Daisuke Matsushita , Takashi Yamauchi , Yuuichi Kamimuta , Hidenori Miyagawa
Applicant: Akira Takashima , Daisuke Matsushita , Takashi Yamauchi , Yuuichi Kamimuta , Hidenori Miyagawa
Applicant Address: JP Tokyo
Assignee: Kabushiki Kaisha Toshiba
Current Assignee: Kabushiki Kaisha Toshiba
Current Assignee Address: JP Tokyo
Agency: Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
Priority: JP2011-063353 20110322
Main IPC: H01L47/00
IPC: H01L47/00 ; H01L45/00

Abstract:

According to one embodiment, a memory device includes a first electrode including a crystallized SixGe1-x layer (0≦x

Abstract(Chinese):

根据一个实施例，存储器件包括包括结晶的SixGe1-x层（0和n1E; x <1）的第一电极，包括金属元件的第二电极，在第一和第二电极之间的可变电阻部分，非晶Si层，以及控制非晶Si层中的细丝的控制电路，所述灯丝包括金属元件。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L47/00	体负阻效应器件，例如耿氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）