Semiconductor devices and methods of making the same

Invention Grant

US08987054B2 Semiconductor devices and methods of making the same 有权

Title translation: 半导体器件及其制造方法

Patent Title: Semiconductor devices and methods of making the same
Patent Title (中): 半导体器件及其制造方法
Application No.: US13840411

Application Date: 2013-03-15
Publication No.: US08987054B2

Publication Date: 2015-03-24
Inventor: Darrell Truhitte
Applicant: Darrell Truhitte
Applicant Address: US AZ Phoenix
Assignee: Semiconductor Components Industries, L.L.C.
Current Assignee: Semiconductor Components Industries, L.L.C.
Current Assignee Address: US AZ Phoenix
Agency: Noon Intellectual Property Law, P.C.
Main IPC: H01L21/50
IPC: H01L21/50 ; H01L23/58 ; H01F27/30 ; H01F41/02 ; H01L21/52 ; H01L23/31 ; H01L21/56

Abstract:

In one embodiment, methods for making semiconductor devices are disclosed.

Abstract(Chinese):

在一个实施例中，公开了制造半导体器件的方法。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的